氮化铝 (AlN) 陶瓷制造商和供应商

主要的氮化铝(AlN)陶瓷制造商包括 CoorsTek, Kyocera, Tokuyama (SHAPAL™), MARUWA, and Jundro 陶瓷技术公司.这些公司提供的氮化铝基板、散热器和定制元件广泛应用于以下领域 半导体、电力电子、航空航天和医疗设备.氮化铝陶瓷通常可达到 导热系数在 170-200 W/m-K 之间此外,它们还具有出色的电绝缘性能(>10¹³ Ω-cm)和高温稳定性,是高性能应用的关键。

主要制造商和产品能力

制造商主要产品导热性应用独特功能
CoorsTek定制氮化铝零件、基板170-180 W/m-K电子、航空航天100 多年的陶瓷专业知识
德山 (SHAPAL™)可机械加工的氮化铝~90 W/m-K半导体工具易于加工,耐卤素等离子体
京瓷氮化铝基板和组件170-200 W/m-K电源模块,射频大规模生产能力
丸和高纯氮化铝填料和基材160-180 W/m-K发光二极管、集成电路封装专有粉末和烧结
Jundro 陶瓷技术精密加工的氮化铝零件170-185 W/m-K半导体、国防、医疗定制加工 ±0.001 毫米
精密陶瓷氮化铝板,PCAN1000170 W/m-K热管理硅匹配 CTE
Ortech 陶瓷公司基质、坩埚160-170 W/m-K工业、电子通过 ISO 认证的定制生产
下一代先进材料氮化铝单晶衬底180-200 瓦/米-千克先进的电子设备利基研发应用

氮化铝陶瓷的常见应用

  • 半导体: 晶圆卡盘、散热器、需要与硅热膨胀相匹配的背板。

  • 电力电子: 由于具有高导热性和绝缘性,可用作 MOSFET、IGBT 和 LED 模块的基板。

  • 微波与射频 用于航空航天和国防通信系统的低损耗基板。

  • 医疗设备: 需要热管理和生物兼容性的高频手术器械。

  • 高温组件: 耐热冲击和化学腐蚀的坩埚和耐火材料。


 

技术要点

  • 导热性: 170-200 W/m-K(取决于纯度和烧结情况)

  • 电阻率 >10¹³ Ω-cm

  • CTE(热膨胀系数): ~4.5 × 10-⁶/K(接近硅)

  • 介电强度 15-18 千伏/毫米


常见问题(FAQ)

全球领先企业包括 CoorsTek、Kyocera、Tokuyama、MARUWA 和 Jundro Ceramics Technology,以及 Precision Ceramics、Ortech 和 Nextgen 等专业供应商。

高纯度氮化铝基底可实现高达 200 W/m-K在这种情况下,氧化铝的熔点明显高于氧化铝,可与某些金属媲美。

Precision Ceramics、Ortech Ceramics 和 Jundro Ceramics Technology 可提供公差小至 ±0.001 毫米的定制氮化铝加工,可应用于半导体和航空航天领域。

虽然氧化铝具有较高的成本效益,但氮化铝的导热性能(170-200 W/m-K 对 20-30 W/m-K)要好得多,因此非常适合用于大功率电子封装。