氮化铝晶片载体

氮化铝 晶片载体是在半导体设备（如沉积、蚀刻或热处理）步骤中用于传送晶片的载体。它能通过静电吸附技术固定晶片，防止晶片翘曲和变形。常见的有一般尺寸为 12 英寸 300 毫米的氮化铝晶圆载体和定制的 AIN 载体。氮化铝陶瓷具有超高的导热性、电绝缘性，无毒环保，还可加工成复杂的形状（静电吸盘、加热器、夹具、机械臂等部件）。