SIC 元件在半导体中的应用--晶圆检测、接合、光刻计量

碳化硅（SIC）是半导体制造领域的首选材料之一，因其高硬度、低热膨胀、超高刚性和优异的化学惰性，已成为半导体制造设备中承重和定位部件的关键部分，如（托盘板、晶圆卡盘、针状卡盘、环状卡盘、槽状卡盘、陶瓷针状卡盘、晶圆卡盘台等），有助于检测、接合、计量和光刻工艺的高效高产运行。

碳化硅部件的优势

碳化硅芯部件

组件	主要功能	晶片尺寸	平整度（全球）	表面粗糙度 (Ra)	加工公差	真空孔/夹紧方式
碳化硅载体托盘板	晶圆存储和短距离传输	6″ / 8″ / 12″	≤ 0.05 μm	≤ 1 nm	± 5 μm	可选真空吸孔阵列
碳化硅晶片卡盘	用于光刻、检测和粘接的平台	12″	≤ 0.02 μm	≤ 0.5 nm	± 2 μm	均匀分布的真空孔
碳化硅针卡盘	芯片或小型晶片的点支撑	自定义尺寸	≤ 0.05 μm	≤ 1 nm	引脚高度 ± 1 μm	双模式：机械/真空
碳化硅环形卡盘	支持环形或定制晶片	定制直径	≤ 0.03 μm	≤ 0.8 nm	± 3 μm	真空密封环槽
碳化硅槽卡盘	用于弯曲或异形晶片的 V/U 沟槽支架	自定义宽度	≤ 0.04 μm	≤ 0.8 nm	沟槽宽度 ± 2 μm	凹槽底部的真空通道
碳化硅陶瓷夹针器	精密抓取探头或微型部件	-	针尖 ≤ 0.02 μm	≤ 0.5 nm	引脚间距 ± 2 μm	机械抓手/可选真空
碳化硅晶片卡盘平台	高精度 XYZ 运动和纳米定位	12″	≤ 0.01 μm（超扁平）	≤ 0.3 nm	并行性 ≤ 50 nm	真空和机械混合夹紧