用于半导体等离子体蚀刻的氧化铝陶瓷蚀刻环顶尖成果正在解决的问题

氧化铝陶瓷蚀刻环是等离子蚀刻系统中的消耗品，但却是关键部件。它们控制等离子体分布、屏蔽腔室硬件并减少晶片边缘附近的污染。我们的一个客户是一家 ICP 等离子刻蚀设备制造商，由于边缘侵蚀和颗粒报警问题与我们取得了联系。我们的解决方案是将氧化铝纯度从 99% 提高到 99.8%，并优化等离子区域的表面光洁度，帮助客户延长使用寿命。.

氧化铝陶瓷蚀刻环

为何使用高纯氧化铝 等离子体和耐化学性

等离子体和耐化学性

  • 高纯度 Al₂O₃（99.7-99.99%） 抗氟基等离子攻击

  • 稳定的地表化学成分限制了不受控制的侵蚀

  • 磨损率低于低纯氧化铝

粒子控制

  • 致密的微观结构可减少晶粒拉出
  • 抛光功能表面可最大限度地减少颗粒脱落
  • 对于边缘缺陷重要的高级节点至关重要

热稳定性

  • 在反复加热和冷却过程中保持几何形状

  • 防止影响等离子均匀性的边缘变形

典型技术规格

最终数值取决于腔室设计和工艺条件。以下是 现实的工程范围, 而不是营销数字。.

  • 材料纯度 99.5% / 99.7% / 99.8% Al₂O₃
  • 密度： ≥ 3.93 克/立方厘米
  • 尺寸公差： 关键表面 ±0.001 毫米
  • 平整度 ≤ 0.001 毫米
  • 表面抛光： Ra ≤ 0.01 µm（面向等离子体的区域）
  • 介电强度 适用于射频等离子环境
  • 真空兼容性： 经适当烘烤后可兼容超高压

📎 技术细节：/95-99.8% 氧化铝

氧化铝蚀刻环的用途

  • ICP / RIE 等离子刻蚀室

  • 介质和金属蚀刻工艺

  • 逻辑和存储器晶片制造

  • 需要消耗陶瓷屏蔽的工具平台

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