半導体におけるSICコンポーネントの応用-ウェハ検査、ボンディング、メトロロジーからリソグラフィーまで

炭化ケイ素（SIC）半導体製造において好ましい材料の一つであるウェーハチャックは、その高硬度、低熱膨張、超高剛性、優れた化学的不活性性により、半導体製造装置の耐荷重および位置決め部品の重要な一部となっており、（キャリアトレイプレート、ウェーハチャック、ニードルチャック、リングチャック、スロットチャック、セラミックニードルチャック、ウェーハチャックテーブルなど）検出、ボンディング、計測、リソグラフィプロセスの効率的かつ高歩留まりの動作をサポートしています。

SiC部品の利点

低熱膨張係数：4.0×10-⁶/K、シリコンウェハー（2.6×10-⁶/K）とよくマッチしている。
超高剛性と耐摩耗性：単結晶砥石の硬度に近い。
加工後の機械的負荷を安定的に支え、長寿命。
化学的不活性およびクリーン適合性：フォトレジスト溶剤および一般的な化学試薬に対する耐性
ナノスケールの超平面：表面平坦度は≤0.01-0.05μm、粗さRa≤0.3-1nmに達することができる。

SiCコア部品

コンポーネント	主要機能	ウエハーサイズ	平坦度（グローバル）	表面粗さ（Ra）	加工公差	真空ホール／クランプ方式
SiCキャリアトレイ・プレート	ウェハーの保管と短距離搬送	6″ / 8″ / 12″	≤ 0.05 μm	≤ 1 nm	± 5 μm	オプションの真空吸引孔配列
SiCウェーハチャック	リソグラフィ、検査、ボンディング用プラットフォーム	12″	≤ 0.02 μm	≤ 0.5 nm	± 2 μm	均等に配置された真空孔
SiCピンチャック	ダイまたは小型ウェハーのポイントサポート	カスタムサイズ	≤ 0.05 μm	≤ 1 nm	ピン高さ ± 1 μm	デュアルモード：機械式／真空式
SiCリングチャック	リング状またはカスタムウェーハに対応	カスタム直径	≤ 0.03 μm	≤ 0.8 nm	± 3 μm	真空シールされたリング溝
SiC溝チャック	湾曲または異形ウェーハ用V/U溝サポート	カスタム幅	≤ 0.04 μm	≤ 0.8 nm	溝幅 ± 2 μm	溝底のバキューム・チャンネル
SiCセラミックニードルグリッパー	プローブや微小部品の精密把持	-	針先 ≤ 0.02 μm	≤ 0.5 nm	ピンピッチ±2μm	メカニカル・グリップ / バキューム・オプション
SiCウェーハチャックステージ	高精度XYZモーションとナノ位置決め	12″	≤ 0.01 μm（ウルトラフラット）	≤ 0.3 nm	平行度 ≤ 50 nm	ハイブリッド真空＆メカニカルクランプ

注: すべての部品は顧客の要求に従ってカスタマイズすることができる

SiC部品の用途

ウェハ検査装置プローブカード固定具、キャリア、キャリア＆搬送アーム等
ボンディング装置ホットプレスプレート、熱電対シートなど
測定機ターンテーブルベアリングシート、チャック、ブラケットなど
フォトリソグラフィ装置アライメントテーブル、アパーチャーブラケット等

半導体セラミックスメーカー

半導体セラミックスの専門メーカーとして、ウェハ検査、ボンディング、計測からフォトリソグラフィーまで、要求の厳しいプロセス向けに設計された超平坦な高純度炭化ケイ素（SiC）部品を提供しています。