AlN-Aluminiumnitrid-Keramik

AlN-Keramik mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit (170-220 W/m-K)

Aluminiumnitrid (AlN) hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit und elektrische Isolationseigenschaften, passt thermisch perfekt zu Silizium und ist ein sichere und ungiftige Alternative zu BeO. Geeignet für Anwendungen bei hohen Temperaturen

AlN-Aluminiumnitrid-Keramik

AlN Vorteile

  • Frei von den Bedenken hinsichtlich der Toxizität von Beryllium.
  • Hohe Plasmabeständigkeit und hervorragende Temperaturwechselbeständigkeit.
  • Wärmeleitfähigkeit reicht von 170-220 W/m-K.
  • Der Wärmeausdehnungskoeffizient entspricht weitgehend dem von Silizium (Si).
  • Bietet hervorragende elektrische Isolierung und mechanische Festigkeit.
  • Hohe Biegefestigkeit und Härte, verträgt Temperaturen über 1000°C.
  • Chemisch stabil, mit niedriger Dielektrizitätskonstante und minimalem Verlust.
  • Außergewöhnliche Verschleißfestigkeit für anspruchsvolle Anwendungen.

AlN-Anwendungen

  • Substrat für Halbleitergehäuse
  • AlN-Wafer-Träger、Wärmeleitblech
  • Substrat für Mikrowellengeräte
  • Laserdioden
  • IGBT-Module
  • Antennen-Oszillatoren
  • Leistungselektronik
  • Hochfrequenz-Transformatoren
  • Röntgengeräte
  • MEMS-Sensoren
  • Elektrische Hochleistungs-Isolatoren
  • Wassergekühlte Kühlkörper
  • Laser-Komponenten

Materialeigenschaften von Aluminiumnitrid

Mechanische Eigenschaften

Mechanische EigenschaftenEinheitAlN
Dichteg/cm³3.34
Vickers-HärteHV1100
BiegefestigkeitMPa400
DruckfestigkeitMPa2500
ZähigkeitMPa-m¹ᐟ²3.5
ElastizitätsmodulGPa310
Poissonsche Zahl--0.22
ElastizitätsmodulGPa330

Thermische Eigenschaften

Thermische LeistungEinheitAIN
WärmeleitfähigkeitW/(m・K)179.2
Maximale Betriebstemperatur°C(Tragrolle)1350
Spezifische WärmeJ/(kg・K)720
Thermischer Schock℃(Ins Wasser legen)350
CTE(30℃~300℃,ppm/℃)1 × 10-⁶/°C4.06
CTE(30℃~500℃,ppm/℃)1 × 10-⁶/°C4.85

Elektrische Eigenschaften

Elektrische EigenschaftenEinheitAlN
Dielektrizitätskonstante1MHz7.4
Dielektrischer Verlust1MHz1.6 × 10-⁴
DurchschlagsspannungkV/mm18
DurchschlagsfestigkeitkV/mm≥20
Durchgangswiderstand @ 25 ° CΩ・cm2.1 × 10¹⁶

Hinweis: Dieser Wert dient nur als Anhaltspunkt und kann je nach den Chargenbedingungen leicht variieren.

Aluminiumnitrid-Bearbeitung

Aluminiumnitrid (AlN) ist eine technische Hochleistungskeramik, die für ihre hervorragende Wärmeleitfähigkeit und ihre elektrischen Isolationseigenschaften bekannt ist. Wir sind ein professioneller Hersteller von Aluminiumnitrid-Keramik, Jundro Keramiken ist bestrebt, ideale Materiallösungen für eine Vielzahl von Hochpräzisionsgeräten anzubieten. Mit unserer umfassenden Erfahrung in den Bereichen Materialdesign, Präzisionsbearbeitung und Anwendungsentwicklung sind wir Ihr bester Partner für die Verarbeitung von Aluminiumnitrid.

Bedarf kundenspezifische Aluminiumnitrid-Keramik? Kontakt sprechen Sie noch heute mit unseren Materialexperten, um eine Lösung zu finden, die Ihre Erwartungen übertrifft!

Bearbeitung von Aluminiumnitrid-Prototypen

Unser neuestes Video zeigt den Prozess der CNC-Bearbeitung von Aluminiumnitridkeramik

Kundenspezifischer Prototyp AlN-Koffer

Wir haben uns auf die Präzisionsbearbeitung von komplex geformten Aluminiumnitridkeramiken spezialisiert und sind in der Lage, hochpräzise Bearbeitungen durchzuführen, um die Anforderungen verschiedener komplexer Designs zu erfüllen.

Verwandte Materialien

Aluminiumnitrid ist zweifellos eines der hochwertigsten Materialien, das sich bei Anwendungen in Halbleitern und elektronischen Geräten auszeichnet. Natürlich gibt es auch andere Hochleistungsmaterialien wie Macor, Shapal Hi-M, Siliziumkarbid usw.

Shapal Hi M, auch bekannt als maschinell bearbeitbares Aluminiumnitrid, hat eine bessere Leistung als Aluminiumnitrid und hervorragende Additiveigenschaften

Macor ist eine Glaskeramik ohne Porosität und ohne Gasfreisetzungsrate, die die gleiche Verarbeitungsfähigkeit wie Metall besitzt und sehr hohe Verarbeitungstoleranzen erreichen kann.

Häufig gestellte Fragen

Was ist Aluminiumnitrid (AlN)-Keramik?

Aluminiumnitrid (AlN) ist ein nichtleitende, hoch wärmeleitende technische Keramik mit ausgezeichneter mechanischer und thermischer Stabilität.

  • Elektrische Leitfähigkeit: Elektrischer Isolator (nicht leitfähig).

  • Wärmeleitfähigkeit: Typischerweise >170-180 W/m-K, viel höher als Tonerde und nahe an BeO.

  • Gasdichtheit: Sie hat hervorragende Luftdichtigkeit und kann in Vakuum-, Plasma- und Halbleiterumgebungen eingesetzt werden.

  • Andere Merkmale: Hohe Durchschlagsfestigkeit, geringe Wärmeausdehnung (ähnlich wie Silizium) und gute Korrosionsbeständigkeit.
    Es wird häufig dort eingesetzt, wo eine hohe Wärmeableitung und elektrische Isolierung nebeneinander bestehen müssen.

Ist Aluminiumnitrid (AlN)-Keramik leicht zu bearbeiten?

Aluminiumnitrid ist nicht leicht bearbeitbar in seiner gesinterten Form ist es eine harte, spröde technische Keramik. Sie kann genutet, gebohrt, gefräst und kantengeschliffen werden, sondern erfordert Diamantwerkzeuge und erfahrene Keramikbearbeitung.

  • Absplittern/Rissbildung: Mit den richtigen Vorschüben, Geschwindigkeiten und Kühlmittelkontrollen kann der Bruch minimiert werden, aber eine unerfahrene Bearbeitung kann leicht zu Kantenausbrüchen führen.

  • Oberflächenrauhigkeit: Präzisionsgeschäfte können Folgendes erreichen Ra 0,4-0,8 μm, und mit feinerem Diamantschliff, Ra 00,2 μm ist für kritische Oberflächen erreichbar.

Welche Anwendungen gibt es für AlN-Teile in der Halbleiterindustrie?

Typische Anwendungen sind:

  • Waferträger und Wafer Chucks

  • Wärmespreizer und Wärmesenken

  • Wärmeplatten / Heizplatten

  • Isolierringe und Ausrichtteile

  • Laserdioden-Montagen

  • Substrate für High-Power-Module

  • RF-, Mikrowellen- und Vakuumkammerkomponenten

Kann Aluminiumnitrid-Keramik auch in kleinen Chargen hergestellt werden?

Ja. AlN-Teile können hergestellt werden in kleine Chargen oder Prototypmengen durch Diamantbearbeitung und Präzisionsschleifen.

  • Typische Vorlaufzeit: 7-15 Tage für kleine Mengen (abhängig von Geometrie, Dicke und Toleranz).

  • Komplexe Komponenten können Folgendes erfordern 2-4 Wochen durch mehrstufiges Schleifen und Prüfen.

Wie wählt man einen professionellen AlN-Bearbeitungshersteller?

Wählen Sie Lieferanten mit:

  • ISO 9001/14001-Zertifizierungen

  • Bewährte Fähigkeit zur Bearbeitung mit Diamantwerkzeugen für Hartkeramik

  • Erfahrung mit enge Toleranzen (z. B. ±0,01-0,02 mm)

  • Thermische und dielektrische Prüfungen Fähigkeit

  • Handhabung im Reinraum oder in der Halbleiterindustrie

  • Rückverfolgbarkeit von Materialien und vollständigen Datenblättern

  • Fallstudien in der Halbleiter-, Laser- oder Wärmemanagementindustrie

Ein zuverlässiger Lieferant sollte Folgendes bieten Unterstützung bei Prototypen, Anleitung zur Bearbeitung und konsistente QC-Berichte für jede Charge.
Jundro Ceramic ist ein solcher Anbieter mit umfassender Erfahrung in der AlN-Präzisionsbearbeitung und bewährten Fähigkeiten sowohl für Kleinserien als auch für hochkomplexe Teile.

Aluminiumnitrid vs. Aluminiumoxid (Al₂O₃) - was ist besser?
EigentumAluminiumnitrid (AlN)Tonerde (Al₂O₃)
WärmeleitfähigkeitSehr hoch (170-180 W/m-K)Niedrig (20-30 W/m-K)
Elektrische IsolierungAusgezeichnetAusgezeichnet
Härte/StärkeMäßigHöher, robuster
KostenHöherGeringe Kosten
BearbeitbarkeitSchwierigEinfacher (erfordert aber immer noch Diamantwerkzeuge)
Beste VerwendungWärmemanagement + IsolierungAllgemeine Anwendungen von Strukturkeramik

Schlussfolgerung:

  • Wählen Sie AlN wenn die Wärmeableitung kritisch ist.

  • Wählen Sie Tonerde wenn Kosten und mechanische Festigkeit im Vordergrund stehen.

Kann Aluminiumnitrid BeO ersetzen?

Ja-Aluminiumnitrid ist der häufigste und praktischste Ersatz für Berylliumoxid (BeO) in thermischen und elektronischen Anwendungen.

  • Sie bietet hohe Wärmeleitfähigkeit (~180 W/m-K) vergleichbar mit BeO.

  • Sie ist ungiftig, im Gegensatz zu BeO, das strenge Sicherheitskontrollen erfordert.

  • AlN bietet hervorragende dielektrische Eigenschaften und eine gute Hermetizität.
    Für die meisten Hochleistungselektronik-, Laser- und Halbleiteranwendungen ist AlN die bevorzugte sichere Alternative zu BeO.