Poröse Halbleiterkeramik-Vakuumspannplatte

Poröse keramische Spannvorrichtungen sind eine Art von Vakuumspannvorrichtungen, die miteinander verbundene Kanäle im Mikrometer-/Submikrometerbereich verwenden, um eine gleichmäßige Unterdruckadsorption zu erreichen. Im Vergleich zu herkömmlichen gerillten oder perforierten Metallchucks können poröse Keramiken eine gleichmäßige Adsorption über die gesamte Oberfläche ohne lokale Vertiefungen bieten, was die Verformung und lokale Belastung durch dünne Wafer/Wafer, die in die Rillen "gesaugt" werden, erheblich reduziert. Dies ist besonders wichtig für Präzisionsprozesse wie ultradünne Wafer.

Porös-Keramik-Vakuum-Futter

Vorteile

Gleichmäßige Adsorption: Die Mikroporen sind überall verteilt, um lokale Verformungen durch die Adsorption zu vermeiden.

Partikelarm/Reinraumkompatibel: Hochreine Materialien werden verwendet, um die Anforderungen an Partikel und Verunreinigungen in Reinraumprozessen zu erfüllen.

Chemische und thermische Beständigkeit: Je nach Materialwahl (Aluminiumoxid/SiC) ist es mit Hochtemperatur-, Plasma- oder chemischen Reinigungsprozessen kompatibel.

Anpassbare Porengröße und Porosität: Die Porengröße (typischerweise 1-120 μm) und die offene Porosität (z. B. 30-50%) können mit Porogenen oder Opferphasen gesteuert werden, um die Adsorptionsstärke und die Partikelfiltrationsleistung auszugleichen.

Häufig verwendete Materialien

Hochreines Aluminiumoxid (Al₂O₃): Es kann eine ausgezeichnete Oberflächenebenheit erzielen, ist kosten- und prozessfreundlich und eignet sich für die meisten Halbleiterszenarien.

Siliziumkarbid (SiC/SiSiC): Höhere thermische Stabilität und mechanische Festigkeit, geeignet für Schleifen bei hohen Temperaturen oder hoher Belastung und CVD-Umgebungen

Keramischer Verbundstoff oder spezielle Formulierung: Spezielle Formulierungen oder Oberflächenbehandlungen (Beschichtung, Versiegelung) können verwendet werden, um die Anforderungen an Partikelkontrolle, Wärmeleitfähigkeit oder elektrische Leitfähigkeit zu erfüllen.

Spezifikationen

Artikel Beispiel Wert / Beschreibung
Material 99.5% Al₂O₃ / SiC (wahlweise)
Porengröße 1 μm / 5 μm / 15 μm / 25 μm (anpassbar). Üblicherweise ≤25 μm für optische/dünne Wafer (photomachining.com)
Porosität 30-50% (einstellbar je nach Anwendung) (xminnovacera.de.made-in-china.com)
Ebenheit (TTV) 1-10 μm (je nach Größe und Bearbeitungsgrad)
Maximale Betriebstemperatur Al₂O₃ ~1000 °C (je nach Sinterung und Zusammensetzung), SiC höher (xminnovacera.de.made-in-china.com)
Gemeinsame Größe/Form Kreisförmig 4″-12″, quadratisch, oder kundenspezifische Formen

Anmeldung

  • Saugnäpfe für Wafer-Schleif-/Rückschleif- und Würfelmaschinen.
  • Kratzerfreie Befestigung in der Optik-/Objektivbearbeitung und beim Polieren.
  • Sondenstationen/Inspektionsplattformen (gleichmäßige Adsorption, winzige Probenfixierung).

FAQ

Eine gute Prozess- und Nachbearbeitung (hochreine Materialien, kontrollierte Sinterung, Reinigung und Vakuumverpackung) kann das Risiko von Partikeln auf ein sehr geringes Maß reduzieren; falls erforderlich, kann eine kleinere Porengröße oder eine Oberflächenversiegelung/-beschichtung gewählt werden, um das Risiko weiter zu verringern.

Für ultradünne/optische Werkstücke wählen Sie ≤25 μm; für schnelles Saugen oder großflächige Handhabung wählen Sie eine größere Öffnung, um den Luftstromwiderstand zu verringern

Poröse Keramik eignet sich für die berührungslose, gleichmäßige Vakuumadsorption (keine elektrostatische Beschädigung), während elektrostatische Spannvorrichtungen bei bestimmten automatischen Beladungs- und Temperaturregelungsszenarien Vorteile haben. Sie können je nach Ausbeute, Material und Geräteintegration wählen.