Einkristallines Silizium

Es ist ein Siliziummaterial mit geordneter atomarer Anordnung und hoher Reinheit.

Einkristallines Silizium ist ein Siliziummaterial mit einer vollständigen Kristallstruktur. Es kann in N-Typ-Silizium oder P-Typ-Silizium dotiert werden, um verschiedenen Anwendungsanforderungen gerecht zu werden, und wird zu einem Kernmaterial in der Halbleiter- und Optikbranche.

Vorteile

Die Kristallstruktur ist vollständig und defektfrei
Hohe Elektronenbeweglichkeit
Hohe Temperaturbeständigkeit, geeignet für raue Umgebungen
Biegefestigkeit und Verschleißfestigkeit
Kontrollierbare Reinheit, unterteilt in N-Typ und P-Typ zur Erfüllung unterschiedlicher Anwendungsanforderungen
Kann ultrapräzise verarbeitet werden

Anwendungen

Halbleiterchips
Drucksensoren
Transistoren und Dioden
Photovoltaische Zellen
Optische Komponenten
Mikroelektromechanische Systeme (MEMS)
Gyroskope
Wafer-Verpackung
Monokristalline Silizium-Sprühplatte

Eigenschaften von einkristallinem Silizium

Kristallstruktur	Typ des Gitters	-	Diamant kubisch (Fd3̅m)
	Gitterkonstante	a (Å)	5.431
Physikalische Eigenschaften	Dichte	ρ (g/cm³)	2.329
	Schmelzpunkt	Tₘ (°C)	1414
	Koeffizient der thermischen Ausdehnung	α (10-⁶ K-¹)	2.6 @ 25-300 °C
Mechanische Eigenschaften	Elastizitätsmodul	E (GPa)	130-188
	Poissonsche Zahl	ν	0.22
	Bruchzähigkeit	K_IC (MPa-m½)	0.6-0.9
Thermische Eigenschaften	Wärmeleitfähigkeit	κ (W/m-K)	148 @ 300 K
	Spezifische Wärmekapazität	C_p (J/kg-K)	700 @ 300 K
Elektrische Eigenschaften	Bandlückenenergie	E_g (eV)	1.12 @ 300 K
	Intrinsische Ladungsträgerkonzentration	n_i (cm-³)	1 × 10¹⁰ @ 300 K
	Relative Dielektrizitätskonstante	ε_r	11.7
	Eigenspezifischer Widerstand	ρ_i (Ω-cm)	~2 × 10⁵
	Dotierter spezifischer Widerstand	ρ_d (Ω-cm)	0,001-10 (je nach Dotierung)
Mobilität des Trägers	Mobilität der Elektronen	μ_n (cm²/V-s)	≈1,350 @ 300 K
	Mobilität der Löcher	μ_p (cm²/V-s)	≈450 @ 300 K
Optische Eigenschaften	Brechungsindex	n (@ 632,8 nm)	3.88
	Absorptionskante	λ_g (μm)	1.1
Oberfläche & Schnittstelle	Oberflächenenergie	γ (J/m²)	1.24
	Grenzflächenzustandsdichte	D_it (cm-²-eV-¹)	10¹⁰-10¹¹

Anmerkung: Alle Werte sind typische Werte bei Raumtemperatur (≈300 K). Die tatsächlichen Werte können je nach Kristallorientierung, Dotierungsgrad und Messmethode leicht variieren.

Bearbeitung von einkristallinem Silizium

Einkristallines Silizium ist ein in der Halbleiterindustrie weit verbreitetes Material mit hervorragenden Eigenschaften. Jundro Ceramics ist ein Hersteller von ultraharten Materialien, der die Präzisionsbearbeitung von N- und P-Silizium anbieten kann. Mit unserer reichen Erfahrung und unserer vielfältigen Ausrüstung können wir Ihre Anwendungsanforderungen perfekt erfüllen.

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FAQ

Was ist einkristallines Silizium?

Einkristallines Silizium ist ein hochreines Material mit gleichmäßiger Kristallstruktur, das in der Halbleiter-, Optik- und MEMS-Industrie weit verbreitet ist.

Welche Größen oder Formen können Sie bearbeiten?

Wir können Wafer, Blöcke, Ringe, Platten, Linsen, Fenster und kundenspezifische Präzisionsteile nach Zeichnung bearbeiten.

Welche Toleranzen können erreicht werden?

Typische Toleranzen sind ±0,01 mm, und hochpräzise Teile können bis zu ±0,001 mm mit optisch hochwertigen Oberflächen.

Was sind die wichtigsten Anwendungen von einkristallinem Silizium?

Zu den üblichen Anwendungen gehören Halbleiterbauelemente, MEMS-Komponenten, optische Fenster, Infrarotteile, Präzisionsbefestigungen und hochstabile Strukturkomponenten.